名校之约系列 2025届高三新高考考前冲刺押题卷(二)2物理CGG试题

14,(14分)离子注人是芯片制造中一道重要工序，如图是其工作示意图，离子源发出质量为的离子沿水平方向进人速度选择器，然后从M点进入磁分析器（截面为内外半径分别为B,和R?的四分之一圆环)，从N点射出，M、N分别为磁分析器b边界和cd边界的中点，接着从棱长为L的正方体偏转系统上表面中心沿N0竖直注人，偏转后落在与偏转系统底面平行的距离为2的水平面晶圆上(O为坐标原点)。已知各器件的电场强度均为E,磁感应强度均为B,偏转系统中的电场，磁场方向与晶圆面x轴正方向同向。不计离子重力，打在晶圆上的离子，经过偏转系统的角度都很小。当0很小时，有sin tan0>0,cos>1-20。求：磁分析器回或凸1向议面10叫1不，L1/离子源0,000.速度选择器R2“是家9六女示图世偏转系统天面点9全具安对超部用2晶圆所在水平面熔件物近及高玉五出7当年(1)离子通过速度选择器后的速度大小v及磁分析器选择出来离子的电荷量；(2)偏转系统仅加电场时，离子在穿过偏转系统整个过程中电势能的变化量；(3)偏转系统仅加磁场时，离子注入晶圆的位置坐标(x,y)(用R1、R2及L表示)。，n大